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💾 长鑫存储（长鑫科技）公司介绍
长鑫科技集团股份有限公司（股票代码：688825）是中国大陆唯一实现DRAM（动态随机存取存储芯片）规模化量产的IDM一体化企业，专注于DRAM的设计、研发、生产和销售。公司创立于2016年，总部位于安徽合肥，在合肥和北京共运营三座12英寸DRAM晶圆厂。
2026年7月27日，长鑫科技正式登陆上海证券交易所科创板，发行价8.66元/股，募资总额579亿元（全额行使超额配售选择权后达666亿元），创下科创板IPO募资最高纪录。上市首日收盘大涨465.82%，总市值突破3.28万亿元，登顶A股市值榜首。
创始人与核心团队
长鑫科技的灵魂人物是董事长朱一明。他此前是A股上市公司兆易创新的联合创始人，2018年7月辞去兆易创新总经理职务，全职出任长鑫科技董事长兼CEO，并立下"军令状"：项目盈利之前，不领一分钱工资、一分钱奖金。2026年公司上市后，朱一明在投资者交流会上表示："怀揣补齐短板、保障供应链安全的初心，长鑫科技选择走上一条重投入、长周期、高难度的自主研发之路。"
总裁曹堪宇博士于2017年加入长鑫，在加州大学伯克利分校获得博士学位，此前曾担任兆易创新子公司NAND闪存事业部总经理，在半导体行业从业20余年，拥有29项已授权专利。
发展历程
从"零"起步（2016–2019年）
2016年：长鑫存储（合肥）DRAM基地一期项目诞生
2017年3月：合肥基地一期项目开工建设
2018年1月：厂房建设完成，开始设备搬入
2018年7月：验证投片，试产8Gb DDR4工程样品
2019年9月：8Gb DDR4亮相世界制造业大会，终结了中国"不能造DRAM"的历史
2019年11月：获得首笔订单，产品销售正式启动
艰难爬坡（2020–2024年）
2020年6月：长鑫（北京）DRAM项目一期启动
2021年12月：长鑫（北京）项目二期启动
2022年1月：北京项目一期试产线通线
2022年6月：合肥项目二期主厂房封顶
这一阶段，长鑫顶着巨额亏损加速抢占市场。2022年至2024年，公司连续三年亏损，归母净利润分别亏损83.28亿元、163.40亿元、71.45亿元，累计亏损超过300亿元。但在此期间，公司攻克了1x纳米工艺，突破了量产DDR5的关键技术壁垒。
爆发式增长（2025–2026年）
2025年：首次实现年度盈利，归母净利润18.75亿元
2026年Q1：营收508亿元（同比+719%），归母净利润247.62亿元（同比+1688%），日赚近4亿元
2026年5月27日：科创板IPO过会
2026年7月27日：正式登陆科创板
核心技术策略：跳代研发
面对三星、SK海力士、美光三巨头数十年积累的专利护城河，长鑫选择了"跳代研发"策略——放弃在老旧技术节点上缠斗，直接瞄准市场主流方向。2019年首款产品直接切入DDR4，而非低门槛制程，从源头锁定了与国际巨头同台竞争的赛道。
工艺制程
已基本攻克10nm级工艺节点，覆盖18.5nm及17nm工艺
17nm DDR4产品良率达80%
DDR5产品已大规模放量，速率高达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb
LPDDR5X产品（8533Mbps和9600Mbps）于2026年5月量产，10667Mbps版本已启动客户送样
研发投入
2023年至2025年，累计研发投入206.05亿元，占营业收入比例21.67%。研发人员4653名，占员工总数超30%。截至2025年末，累计拥有境内外专利近7000项，2024年美国专利授权量排名全球第42位。
产品体系
长鑫科技已形成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的全系列DRAM产品布局，产品形态覆盖DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组三大类：
产品系列 定位 应用场景
DDR4 PC与服务器 工控、入门级服务器
DDR5 新一代PC与服务器 高端PC、数据中心、AI服务器
LPDDR4X 低功耗移动端 高性能移动设备
LPDDR5/5X 新一代移动端 智能手机、平板
终端客户已包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等行业头部企业。
市场地位
根据Counterpoint Research数据，按2026年一季度收入计，长鑫科技全球DRAM市场份额已增长至8%，位列全球第四、中国第一。此前全球DRAM市场长期被三星（38%）、SK海力士（29%）、美光（22%）三巨头垄断超九成份额。
SemiAnalysis预测，到2026年底长鑫月产能将达到约35万片12英寸等效晶圆，接近美光预计的38.5万片，有望成为全球第三大DRAM供应商；到2028年产能有望增至50万片，全球DRAM产能份额提升至约17%。
当前经营现状
财务表现
指标 2024年 2025年 2026年Q1 2026年H1（预计）
营收 约242亿 618亿 508亿 1100–1200亿
归母净利润 -71.45亿 18.75亿 247.62亿 500–570亿
仅2026年上半年，长鑫就有望抹平成立十年以来的全部累计亏损。
产能布局
合肥：两座12英寸DRAM晶圆厂（一期、二期）
北京：一座12英寸DRAM晶圆厂
当前月产能约28–29万片，预计2026年底提升至35万片，2028年达50万片
挑战与风险
技术代差
TechInsights评估显示，长鑫DDR5技术与韩国头部企业仍存在3–4年的代际差距。尚未涉足AI高带宽内存（HBM）领域，而三星、SK海力士、美光已将该领域作为战略重点。
专利风险
长鑫累计专利近7000项，但三星、SK海力士等企业专利储备达数万项量级，长鑫仅为"零头"，面临美光337调查等专利侵权风险。
供应链风险
关键半导体设备（如EUV光刻机）与EDA工具仍高度依赖进口，受美国出口管制影响。
行业周期性
DRAM具有强周期属性，每2–3年经历一轮"缺货涨价—扩产—过剩跌价"的轮回。摩根士丹利警告，由AI驱动的存储行业狂欢正接近拐点，内存合约价格预计将于2026年第四季度见顶。
总结
长鑫科技是中国半导体产业"十年磨一剑"的代表。从2016年创立到2026年上市，公司用十年时间完成了DRAM从"零"到全球第四的跨越，终结了中国大陆不能自主生产DRAM的历史。在AI算力需求引爆存储超级周期的背景下，长鑫凭借"跳代研发"策略和规模化产能，正在改变全球DRAM市场长期被三巨头垄断的格局。
不过，技术代差、专利壁垒、设备管制和行业周期性仍是公司面临的核心挑战。能否在HBM等高端领域实现突破、能否在周期反转时保持盈利韧性，将决定长鑫从"追赶者"到"规则参与者"的最终跨越。
长鑫科技集团股份有限公司（股票代码：688825）是中国大陆唯一实现DRAM（动态随机存取存储芯片）规模化量产的IDM一体化企业，专注于DRAM的设计、研发、生产和销售。公司创立于2016年，总部位于安徽合肥，在合肥和北京共运营三座12英寸DRAM晶圆厂。
2026年7月27日，长鑫科技正式登陆上海证券交易所科创板，发行价8.66元/股，募资总额579亿元（全额行使超额配售选择权后达666亿元），创下科创板IPO募资最高纪录。上市首日收盘大涨465.82%，总市值突破3.28万亿元，登顶A股市值榜首。
创始人与核心团队
长鑫科技的灵魂人物是董事长朱一明。他此前是A股上市公司兆易创新的联合创始人，2018年7月辞去兆易创新总经理职务，全职出任长鑫科技董事长兼CEO，并立下"军令状"：项目盈利之前，不领一分钱工资、一分钱奖金。2026年公司上市后，朱一明在投资者交流会上表示："怀揣补齐短板、保障供应链安全的初心，长鑫科技选择走上一条重投入、长周期、高难度的自主研发之路。"
总裁曹堪宇博士于2017年加入长鑫，在加州大学伯克利分校获得博士学位，此前曾担任兆易创新子公司NAND闪存事业部总经理，在半导体行业从业20余年，拥有29项已授权专利。
发展历程
从"零"起步（2016–2019年）
2016年：长鑫存储（合肥）DRAM基地一期项目诞生
2017年3月：合肥基地一期项目开工建设
2018年1月：厂房建设完成，开始设备搬入
2018年7月：验证投片，试产8Gb DDR4工程样品
2019年9月：8Gb DDR4亮相世界制造业大会，终结了中国"不能造DRAM"的历史
2019年11月：获得首笔订单，产品销售正式启动
艰难爬坡（2020–2024年）
2020年6月：长鑫（北京）DRAM项目一期启动
2021年12月：长鑫（北京）项目二期启动
2022年1月：北京项目一期试产线通线
2022年6月：合肥项目二期主厂房封顶
这一阶段，长鑫顶着巨额亏损加速抢占市场。2022年至2024年，公司连续三年亏损，归母净利润分别亏损83.28亿元、163.40亿元、71.45亿元，累计亏损超过300亿元。但在此期间，公司攻克了1x纳米工艺，突破了量产DDR5的关键技术壁垒。
爆发式增长（2025–2026年）
2025年：首次实现年度盈利，归母净利润18.75亿元
2026年Q1：营收508亿元（同比+719%），归母净利润247.62亿元（同比+1688%），日赚近4亿元
2026年5月27日：科创板IPO过会
2026年7月27日：正式登陆科创板
核心技术策略：跳代研发
面对三星、SK海力士、美光三巨头数十年积累的专利护城河，长鑫选择了"跳代研发"策略——放弃在老旧技术节点上缠斗，直接瞄准市场主流方向。2019年首款产品直接切入DDR4，而非低门槛制程，从源头锁定了与国际巨头同台竞争的赛道。
工艺制程
已基本攻克10nm级工艺节点，覆盖18.5nm及17nm工艺
17nm DDR4产品良率达80%
DDR5产品已大规模放量，速率高达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb
LPDDR5X产品（8533Mbps和9600Mbps）于2026年5月量产，10667Mbps版本已启动客户送样
研发投入
2023年至2025年，累计研发投入206.05亿元，占营业收入比例21.67%。研发人员4653名，占员工总数超30%。截至2025年末，累计拥有境内外专利近7000项，2024年美国专利授权量排名全球第42位。
产品体系
长鑫科技已形成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的全系列DRAM产品布局，产品形态覆盖DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组三大类：
产品系列 定位 应用场景
DDR4 PC与服务器 工控、入门级服务器
DDR5 新一代PC与服务器 高端PC、数据中心、AI服务器
LPDDR4X 低功耗移动端 高性能移动设备
LPDDR5/5X 新一代移动端 智能手机、平板
终端客户已包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等行业头部企业。
市场地位
根据Counterpoint Research数据，按2026年一季度收入计，长鑫科技全球DRAM市场份额已增长至8%，位列全球第四、中国第一。此前全球DRAM市场长期被三星（38%）、SK海力士（29%）、美光（22%）三巨头垄断超九成份额。
SemiAnalysis预测，到2026年底长鑫月产能将达到约35万片12英寸等效晶圆，接近美光预计的38.5万片，有望成为全球第三大DRAM供应商；到2028年产能有望增至50万片，全球DRAM产能份额提升至约17%。
当前经营现状
财务表现
指标 2024年 2025年 2026年Q1 2026年H1（预计）
营收 约242亿 618亿 508亿 1100–1200亿
归母净利润 -71.45亿 18.75亿 247.62亿 500–570亿
仅2026年上半年，长鑫就有望抹平成立十年以来的全部累计亏损。
产能布局
合肥：两座12英寸DRAM晶圆厂（一期、二期）
北京：一座12英寸DRAM晶圆厂
当前月产能约28–29万片，预计2026年底提升至35万片，2028年达50万片
挑战与风险
技术代差
TechInsights评估显示，长鑫DDR5技术与韩国头部企业仍存在3–4年的代际差距。尚未涉足AI高带宽内存（HBM）领域，而三星、SK海力士、美光已将该领域作为战略重点。
专利风险
长鑫累计专利近7000项，但三星、SK海力士等企业专利储备达数万项量级，长鑫仅为"零头"，面临美光337调查等专利侵权风险。
供应链风险
关键半导体设备（如EUV光刻机）与EDA工具仍高度依赖进口，受美国出口管制影响。
行业周期性
DRAM具有强周期属性，每2–3年经历一轮"缺货涨价—扩产—过剩跌价"的轮回。摩根士丹利警告，由AI驱动的存储行业狂欢正接近拐点，内存合约价格预计将于2026年第四季度见顶。
总结
长鑫科技是中国半导体产业"十年磨一剑"的代表。从2016年创立到2026年上市，公司用十年时间完成了DRAM从"零"到全球第四的跨越，终结了中国大陆不能自主生产DRAM的历史。在AI算力需求引爆存储超级周期的背景下，长鑫凭借"跳代研发"策略和规模化产能，正在改变全球DRAM市场长期被三巨头垄断的格局。
不过，技术代差、专利壁垒、设备管制和行业周期性仍是公司面临的核心挑战。能否在HBM等高端领域实现突破、能否在周期反转时保持盈利韧性，将决定长鑫从"追赶者"到"规则参与者"的最终跨越。
长鑫存储，公司创立于2016年，总部位于安徽合肥，在合肥和北京共运营三座12英寸DRAM晶圆厂。
收录时间：2026-07-28 20:56:25 |
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